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據(jù)報導(dǎo)指出，由英特爾(Intel)和美光(Micron)出資各半成立的快閃存儲器合資公司IM Flash，日前領(lǐng)先業(yè)界率先推出最新20納米制程快閃存儲器，再一次站在了NAND閃存制造技術(shù)的最前沿，也使得智能型手機和平板計算機里的儲存裝置可以進(jìn)一步縮小。
此前，東芝與SanDisk組成的聯(lián)盟占據(jù)著NAND閃存制造技術(shù)的領(lǐng)先地位。兩家公司同樣成立了一家合資企業(yè)，目前這家企業(yè)已經(jīng)推出了24nm制程的NAND產(chǎn)品，正在增加這款產(chǎn)品的產(chǎn)能。而Hynix半導(dǎo)體與三星電子兩家韓國企業(yè)則也已經(jīng)先后推出了2xnm級別制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品。
IM Flash于美國時間14日宣布，該公司正向客戶送樣20納米制程8GB NAND快閃存儲器，并預(yù)計在2011下半年導(dǎo)入量產(chǎn)。屆時IMFT還將推出同樣采用20nm制程技術(shù)的16GB容量的閃存芯片樣品，并最終將這種芯片的容量提升到128GB。
IMFT推出的這款20nm制程8GB NAND閃存芯片的芯片面積僅為118平方毫米，寬度方向尺寸相比前代的25nm 8GB NAND產(chǎn)品縮小了30-40%（實際縮小的尺寸依賴于芯片所采用的封裝形式）。另外，新20nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品在性能與耐久性方面則與前代25nm產(chǎn)品基本持平。
報導(dǎo)指出，相較于競爭對手包括三星電子、海力士和東芝、新帝等廠仍在量產(chǎn)25納米制程快閃存儲器，英特爾和美光已經(jīng)先一步跑在前面導(dǎo)入20納米制程投產(chǎn)。
據(jù)悉，IM Flash已經(jīng)量產(chǎn)25納米制程達(dá)1年半的時間，如今正向20納米制程轉(zhuǎn)換。英特爾和美光表示，利用20納米制程投產(chǎn)后，將可望打造比1枚郵票體積還要小的128GB固態(tài)硬盤(SSD)。
美光NAND解決方案事業(yè)群營銷主管Kevin Kilbuck表示，持續(xù)進(jìn)行NAND Flash制程微細(xì)化，才能激發(fā)出新的終端應(yīng)用裝置出現(xiàn)。如今，該公司可以擠進(jìn)更多的存儲器到現(xiàn)有的終端裝置里，或是在較低的成本下使用相同容量的存儲器。
利用最新20納米制程所打造出來的8GB NAND快閃存儲器，可以縮小占用電路版空間3成到4成，使得平板計算機或智能型手機可以利用多出來的空間加入其它的功能，例如加大電池的尺寸，拉長電池續(xù)航力，或是加入另一顆處理器好處理嶄新的功能。
另外，幾天前曾有傳言稱兩家公司周四將就新加坡NAND閃存工廠的合作事宜做重要聲明，但現(xiàn)在看起來實際情況似乎與大家預(yù)料的有所不同。 | 
