SD 卡廠家 傳美光砸千億日元擴增日本DRAM產(chǎn)能
日前傳出全球DRAM龍頭廠三星電子恐會在明(2016)年、后年帶頭砍產(chǎn)能，且減產(chǎn)幅度更將居業(yè)界之冠，不過全球第3大DRAM廠美光秉持著「逆勢時更應該積極投資」的態(tài)度，傳出將豪砸千億日圓在日本量產(chǎn)采用全球最先端技術(shù)的DRAM、擴增產(chǎn)能。
日經(jīng)新聞12日報導，美光計劃于今后1年內(nèi)對日本廣島工廠豪砸1,000億日圓資金，導入最新生產(chǎn)設備，量產(chǎn)全球最先端、采用16nm制程技術(shù)的DRAM產(chǎn)品，且目標為在2016年上半年確立16nm DRAM的量產(chǎn)技術(shù)。
報導指出，目前半導體市況雖疲弱，不過美光期望藉由在逆勢時持續(xù)進行積極投資，對抗全球龍頭廠三星；美光也于上年度(截至2015年8月底為止的會計年度)對廣島工廠砸下1,000億日圓資金進行增產(chǎn)，故此將為美光連續(xù)第2年對廣島工廠進行巨額投資。
據(jù)報導，和現(xiàn)行20nm制程相比，采用16nm制程的每片晶圓可取得的存儲器數(shù)量將增加，預估產(chǎn)能將可提高2-3成，而待上述廣島工廠確立16nm DRAM量產(chǎn)技術(shù)之后，美光預估也會對位于日本、美國、臺灣等地的工廠中的其中一座進行追加增產(chǎn)投資；南韓三星電子目前也量產(chǎn)采用20nm制程技術(shù)的DRAM產(chǎn)品，且也正為量產(chǎn)次世代DRAM產(chǎn)品做準備。
據(jù)報導，美光最高營運負責人(CEO)Mark Duncan接受日經(jīng)新聞專訪時表示，市況嚴峻的時候，才更應該積極投資確立先進技術(shù)；他說，移動設備需求持續(xù)走揚，加上每臺智能手機搭載的存儲器容量變大，故存儲器市場的未來完全不用悲觀。
據(jù)報導，美光今年度(截至2016年8月為止的會計年度)用于設備投資、研發(fā)的費用將年增4成至58億美元，且投資對象主要為DARM和NAND Flash等兩大存儲器事業(yè)。
