三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)11日表示，該公司已領(lǐng)先業(yè)界開始生產(chǎn)高效能的toggle DDR 2.0接口、多階儲存單元(MLC)閃存(NAND Flash)。三星指出，此種新款的NAND型閃存擁有64 Gb的記憶密度，采用先進的20奈米制程生產(chǎn)，適用于需要強大效能的智能型手機、平板計算機與固態(tài)硬盤機(SSD)等行動產(chǎn)品。
三星表示，此款64Gb MLC產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速度可達400 Mbps，為現(xiàn)今廣泛使用的40 Mbps SDR NAND型閃存的10倍，與133 Mbps toggle DDR 1.0的32 Gb NAND型閃存相比則為3倍。這個數(shù)據(jù)傳輸速度比目前市場上廣泛應用的NAND閃存芯片的速度快10倍.
快閃記憶卡巨擘SanDisk Corporation 4月20日宣布推出全球最先進、采用19奈米制程技術(shù)的64Gb 2bps (X2)NAND型閃存。SanDisk將可藉由這項技術(shù)生產(chǎn)高容量、小尺寸的內(nèi)嵌可抽取式儲存裝置，專門應用于手機、平板計算機等裝置。這款19奈米64Gb X2裝置為全球體積最小、成本最低的NAND Flash，是與合作伙伴東芝(Toshiba)共同開發(fā)出的最新產(chǎn)品。
英特爾(Intel Corp.)與美光(Micron Technology Inc.)于4月14日宣布推出最新采用業(yè)界最小、最先進20奈米制程技術(shù)的8GB MLC NAND型閃存，占主板的面積較英特爾、美光現(xiàn)有的25奈米8GB NAND Flash少了30-40%。
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