據報導，三星電子(Samsung Electronics) DRAM存儲器芯片制程技術從30納米縮減至20納米，再度寫下DRAM微細制程的新紀元。三星22日宣布領先全球采用20納米制程量產2Gb容量DRAM，其2010年7月率先采用30納米級制程量產DRAM等，
SD卡在轉換到20納米制程上也不遑多讓，展現出其DRAM技術優勢。
20納米制程意味著芯片電路的線幅為頭發的4,000分之1，半導體制程越微細，便能縮減芯片尺寸，單一晶圓能生產的芯片數量增加，借以降低生產成本。三星投入20納米制程，較30納米制程DRAM增加約50%生產性，耗電量也較30納米DRAM減少約40%以上，且與目前海內外競爭廠主要生產的40~30納米DRAM相比，大幅提升產品成本競爭力，為劃時代的制程技術。
三星20納米制程DRAM投入量產后，將拉大與排名全球第2的海力士(Hynix)及排名第3、4的美光(Micron)及日本爾必達(Elpida)等海內外競爭廠的技術差距。海力士目前主要以30納米制程生產DRAM，計劃2012年初開發出20納米制程產品，
SD卡工廠海力士計劃在完成20納米制程DRAM研發的同時投入量產。
在半導體業界排名第3的爾必達于2011年7月便對外宣布，將投入20納米DRAM量產，然而到目前為止仍未見到相關樣品。韓國業界推測，可能是爾必達為突破財政困頓的難關，搶先發表仍未完全準備好的產品內容。
三星投入20納米量產后，將能維持業界最高的收益。韓國Mirae Esset理事表示，觀察目前DRAM價格，40納米級計算機用DRAM產品為赤字、30納米產品則勉強有盈余。20納米DRAM在目前的情況下，將可創造穩定的收益。
海力士、爾必達、美光等DRAM業者仍停留在40~30納米制程，在DRAM跌幅持續的情況下，三星量產20納米制程產品將能穩定自身的收益。且除較難確保收益的計算機用DRAM產品外，三星行動裝置、服務器、繪圖DRAM等收益性較佳的特殊DRAM產品銷售比重超過70%，強化其收益構造。
