存儲器大廠美光(Micron) 20納米制程64GB芯片量產，128GB芯片將于2012年量產，對于固態硬盤(SSD)領域布局越來越積極，尤其在控制芯片零組件上，目前美光主要采用Marvell解決方案，NAND解決方案事業部門營銷總監Kevin Kilbuck指出，未來S
SD卡控制芯片將一部分采in-house自制，一部分與策略合作伙伴合作，且不排除與臺廠，市場預期群聯、慧榮、擎泰皆有機會合作。
美光在NAND Flash領域布局3方進行，一方面與英特爾(Intel)在新加坡的IMFT晶圓廠啟動，目前單月產能約6萬片，美光約可分得80%產能，且該廠房以25納米制程為主。
第2方面，IMFT在美國猶他廠目前已領先導入20納米制程技術，等20納米制程成熟后，會將技術轉至新加坡廠；美光宣示要保持過去在34納米和25納米領先的態勢；第3，在SSD策略上越來越積極，將分為消費端Client SSD和企業端Enterprise SSD分頭并進。
隨著美光加速布局SSD，牽動其控制芯片策略，以過去美光NAND Flash產品上的習慣，多是采外購的控制芯片，但SSD產品在線會考慮用in-house產品，一部分原因也是想掌握產品的質量。
美光
SD卡工廠目前在SSD產品技術分為34納米、25納米和20納米制程，2010年以34納米為主，共推出P300和C300產品兩款；2011年進入25納米制程，包括主流SSD產品、加密型SSD產品；2012年會進入20納米制程，且進入mSATA市場，屆時可望搭上Ultrabook商機。
Kilbuck表示，美光和英特爾旗下20納米制程的64GB芯片量產后，20納米的128GB芯片日前也正式問世，預計8片裸片可達到1TB儲存容量，是現有20納米64GB芯片的雙倍，而128GB芯片也符合ONFi 3.0規范的要求，可達到333MT/s的傳輸速度，未來應用面會朝平板計算機(Tablet PC)、智能型手機(Smartphone)和大容量固態硬盤(SSD)邁進。
美光在20納米制程是采用平面式單元結構(Planar Cell Structure)，將High-K Metal Gate(HKMG)技術集成至芯片結構中，突破傳統NAND Flash技術的傳統浮動閘(Floating Gate)架構，未來將再采3D NAND用堆疊式的技術作法。
待未來20納米的128GB芯片成為主流后，將可大量用于運端運算用的服務器，還有平板計算機、智能型手機等行動裝置，以及對于高畫質影片的需要增溫，皆需要龐大的儲存容量。
