SD卡廠家-三星、海力士年底擬推DDR 4新產(chǎn)品

據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星和海力士2012年底將會(huì)投入次世代記憶體DDR 4量產(chǎn)，兩大韓廠推出的試制品是以30奈米等級(jí)微細(xì)制程研發(fā)，2012年底則計(jì)劃采用20奈米等級(jí)制程投入量產(chǎn)。領(lǐng)先全球記憶體市場(chǎng)。三星、海力士等近來在美國(guó)舊金山國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上展示了30奈米等級(jí)DDR 4的試制品。

DDR 4 DRAM較目前市場(chǎng)上的主要產(chǎn)品DDR 3耗電量低，且資訊傳輸速度約提升2倍，微次世代DRAM規(guī)格。而兩大韓廠推出的試制品采用了聯(lián)合電子裝置工程協(xié)會(huì)(JEDEC)規(guī)格。全球記憶體晶片業(yè)者中，目前僅三星和海力士研發(fā)出DDR 4試制品，未來DDR 4的標(biāo)準(zhǔn)化作業(yè)主導(dǎo)權(quán)，可能也會(huì)落到三星及海力士手上。

三星推出的DDR 4記憶體在1.2伏特(V)電壓下可驅(qū)動(dòng)2,133MHz，而海力士的產(chǎn)品在同樣的電壓下，可驅(qū)動(dòng)2,400MHz。相較于兩大韓廠的試制品在1.5V下驅(qū)動(dòng)的DDR 3記憶體相比，耗電量減少了40~50%。三星及海力士?jī)?nèi)部人員透露，瞄準(zhǔn)高規(guī)格電腦或超小型伺服器市場(chǎng)，2012年底將會(huì)采用20奈米等級(jí)制程量產(chǎn)DDR 4產(chǎn)品。

海力士行銷本部長(zhǎng)金知范指出，海力士研發(fā)的DDR 4試制品可滿足環(huán)保、低耗電、高性能等特性。除現(xiàn)有的電腦及伺服器市場(chǎng)外，也將會(huì)針對(duì)快速成長(zhǎng)的平板電腦(Tablet PC)市場(chǎng)提出具高附加價(jià)值的解決方案。

根據(jù)統(tǒng)計(jì)，整體DRAM晶片中，DDR 4比重在2013年將會(huì)達(dá)到1%，至2015年可望突破45%，成為市場(chǎng)主要產(chǎn)品。此外，DDR 3產(chǎn)品比重在2011年時(shí)為72%，達(dá)到最高值后將持續(xù)降低，2015年將會(huì)減少至15%。

SD卡廠家

2012-03-08 20:54:43