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2011年P(guān)C市場(chǎng)需求低迷，DRAM市況表現(xiàn)不佳，導(dǎo)致部分廠商獲利減少，NAND 市場(chǎng)從2011年下半年開(kāi)始，價(jià)格也是只跌不漲。在DRAM領(lǐng)域爾必達(dá)(Elpida)重整效應(yīng)之后，2012年全球供給大幅低于歷年平均值情況下，2012年下半年DRAM市況可望好轉(zhuǎn)，而NAND Flash因?yàn)楣虘B(tài)硬盤(pán)(SSD)需求和平板電腦崛起的挹注下，NAND市場(chǎng)也在下半年進(jìn)入佳境。
目前DRAM產(chǎn)業(yè)仍陷在爾必達(dá)破產(chǎn)保護(hù)混亂狀態(tài)中，以目前爾必達(dá)廣島廠產(chǎn)能12萬(wàn)片加上轉(zhuǎn)投資瑞晶8萬(wàn)片產(chǎn)能來(lái)看，爾必達(dá)未來(lái)即使走向整并，旗下產(chǎn)能不可能全數(shù)退出市場(chǎng)，至少瑞晶8萬(wàn)片產(chǎn)能持續(xù)留在PC DRAM市場(chǎng)機(jī)率相當(dāng)大。不過(guò)，若瑞晶面臨技術(shù)母廠易主，或是整并時(shí)間一拖再拖，恐影響其制程轉(zhuǎn)換進(jìn)度，間接讓全球供給產(chǎn)能減少。
據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2012年全球DRAM位成長(zhǎng)率(Bit Growth)估計(jì)恐將不到30%，大幅低于歷年來(lái)逾50％趨勢(shì)，此將有助于DRAM產(chǎn)業(yè)在2012年下半進(jìn)入傳統(tǒng)旺季后，逐漸脫離供過(guò)于求窘境。
在產(chǎn)品應(yīng)用方面，存儲(chǔ)器廠不再把多數(shù)產(chǎn)能押寶在PC DRAM，轉(zhuǎn)向平板計(jì)算機(jī)采用的Mobile RAM和云端運(yùn)算大量采用的服務(wù)器DRAM，未來(lái)產(chǎn)品多元化將是存儲(chǔ)器廠致勝關(guān)鍵。
NAND Flash領(lǐng)域，近期主流閃存卡和優(yōu)盤(pán)過(guò)度殺價(jià)，導(dǎo)致價(jià)格一再創(chuàng)新低，雖然NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格下滑，部分NAND Flash廠傳已虧損，但是價(jià)格下跌大大降低了SSD的生產(chǎn)成本，促進(jìn)了SSD的普及，在加上平板市場(chǎng)銷量成長(zhǎng)大，預(yù)計(jì)2012年下半就有機(jī)會(huì)擺脫供過(guò)于求，且第4季高容量產(chǎn)品可能出現(xiàn)缺貨。
NAND Flash大廠三星、美光／英特爾、新帝／東芝紛紛進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，也主要是看到了智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、輕薄型筆記本電腦、固態(tài)硬盤(pán)等高容量?jī)?nèi)嵌式芯片需求起飛，提早做好增加產(chǎn)能的計(jì)劃。
NAND Flash發(fā)展空間大，NAND Flash大廠投資擴(kuò)廠迅速，制程不斷下探，技術(shù)瓶頸逐漸顯現(xiàn)，在產(chǎn)能傾巢出籠的同時(shí)，然業(yè)者擔(dān)心成產(chǎn)質(zhì)量能不能保障。由于低成本的TLC質(zhì)量上未能達(dá)到要求，所以還未能進(jìn)入內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器領(lǐng)域，如果控制芯片廠能克服TLC難題，成本結(jié)構(gòu)會(huì)更具吸引力，在NAND Flash領(lǐng)域也將是一大突破。
NAND Flash未來(lái)發(fā)展空間大，將成為最大的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)，根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner統(tǒng)計(jì)，2013年全球NAND Flash產(chǎn)值將達(dá)356億美元，正式取代DRAM產(chǎn)業(yè)340億美元，成為全球第1大記憶體市場(chǎng)，而2012年此2產(chǎn)業(yè)營(yíng)收表現(xiàn)差不多。
在全球資本支出方面，在2011年NAND Flash產(chǎn)業(yè)資本支出104億美元，早已超過(guò)DRAM產(chǎn)業(yè)89億美元，2012、2013年NAND Flash產(chǎn)業(yè)資本支出，預(yù)計(jì)達(dá)120億和139億美元，都將遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)DRAM產(chǎn)業(yè)。
在其他記憶體方面，預(yù)計(jì)2011~2016年復(fù)合成長(zhǎng)率，NAND Flash產(chǎn)業(yè)以13.6%成長(zhǎng)居冠，其次是DRAM產(chǎn)業(yè)復(fù)合成長(zhǎng)率為4.4%，其他RAM、PSRAM、NOR Flash的復(fù)合成長(zhǎng)率都是負(fù)成長(zhǎng)。 | 
