可蝕刻3D NAND 應(yīng)材新系統(tǒng)

應(yīng)用材料公司(Applied Materials)推出全新蝕刻技術(shù) ─ Applied Centura Avatar介電層蝕刻系統(tǒng)，這系統(tǒng)是用來(lái)制造高深寬比的蝕刻應(yīng)用，如3D NAND內(nèi)存結(jié)構(gòu)，以迎接高行動(dòng)裝置時(shí)代的到來(lái)。

應(yīng)材表示，根據(jù)預(yù)估，平面的NAND壽命只剩兩個(gè)世代，因此現(xiàn)今NAND 快閃裝置必須做改變，以符合行動(dòng)內(nèi)存的需求。由于傳統(tǒng)平面型的技術(shù)無(wú)法微縮20奈米以下的NAND；而較先進(jìn)的技術(shù)如極紫外線微影，成本所費(fèi)不貲，因此，下一代符合成本及高容量規(guī)格的解決方案即是垂直堆棧NAND內(nèi)存單元，這也是應(yīng)材致力推出可制造垂直NAND組件技術(shù)的主要原因。

Avatar系統(tǒng)為全新設(shè)計(jì)，可在3D NAND內(nèi)存數(shù)組進(jìn)行既深且窄的蝕刻，這些3D數(shù)組是令人振奮的新型閃存裝置，有多達(dá)64層垂直建立的記憶單元，可在小面積內(nèi)建立極高的位密度。

Avatar系統(tǒng)可在復(fù)合薄膜堆棧層中進(jìn)行孔洞性蝕刻及溝槽性蝕刻，深寬比可高達(dá)80:1，以形狀比例來(lái)形容的話，美國(guó)華盛頓紀(jì)念碑的深寬比是10:1高(臺(tái)北101大樓約9:1)。此外，該系統(tǒng)是第一款具備能同時(shí)蝕刻深度變化落差極大的特征結(jié)構(gòu)功能的系統(tǒng)，對(duì)于制造連接外界與各層記憶單元的「階梯式」接觸結(jié)構(gòu)非常重要。

新的 Centura Avatar 系統(tǒng)設(shè)計(jì)獨(dú)特，完全符合垂直NAND蝕刻需求，該系統(tǒng)支持光罩蝕刻，比同業(yè)快30倍以上，能同時(shí)在不同層材料上蝕刻出各種不同深度的結(jié)構(gòu)。另外，該系統(tǒng)也是第一款具備能同時(shí)蝕刻深度變化落差極大的特征結(jié)構(gòu)功能的系統(tǒng)，對(duì)于制造連接外界與各層記憶單元的「階梯式」接觸結(jié)構(gòu)非常重要。

這套 Avatar 系統(tǒng)能進(jìn)行高深寬比達(dá) 80:1的蝕刻，在先進(jìn)的邏輯、DRAM及NAND制程上不可或缺；若舉現(xiàn)實(shí)生活中大樓形狀來(lái)形容的話，臺(tái)北101辦公大樓深寬比(即樓高:樓寬)是9:1，目前已有超過(guò)30臺(tái)反應(yīng)室出貨至客戶端。