NAND flash大廠三星擬提前發(fā)表3D NAND芯片
根據(jù)韓國時(shí)報(bào)的報(bào)導(dǎo)，韓國三星電子要投入更多資源，希望年底前能發(fā)表首款3D NAND型芯片，較原先計(jì)劃提前6個(gè)月，除了滿足智能型手機(jī)等處理大量資料的需求外，也要鞏固此前景可期的市場地位。
包括IBM和東芝等芯片業(yè)巨擘，都競相研發(fā)被視為下一世代主力的3D NAND型芯片，因?yàn)?D技術(shù)打破目前NAND型芯片的微縮極限。NAND Flash芯片采用非揮發(fā)性（non-volatile）儲存技術(shù)，不需要電源來保存資料。但3D NAND型芯片采用3D技術(shù)，擁有更節(jié)省成本和保證有更多閃存格（memory cell）優(yōu)勢。
三星表示，現(xiàn)在全球閃存芯片業(yè)只剩少數(shù)主要供應(yīng)商，拼命「燒錢」時(shí)代已經(jīng)過去，三星要提升3D NAND型芯片的生產(chǎn)技術(shù)。芯片商在平面NAND型芯片上，正面臨10納米制程以下的技術(shù)極限，讓芯片業(yè)要為此做出調(diào)整。
三星認(rèn)定3D NAND型芯片，將在未來2到3年內(nèi)成為業(yè)界主流。由于生產(chǎn)成本能夠降低，又具備大量數(shù)據(jù)儲存的能力，這表示消費(fèi)者能以更實(shí)惠價(jià)格，購買智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)和其它數(shù)碼設(shè)備。
但在量產(chǎn)之前仍有一些技術(shù)問題要解決。Sanford C. Bernstein分析師紐曼（Mark Newman）認(rèn)為，3D NAND型芯片的制程復(fù)雜，可能要使用不同的工具組。
遠(yuǎn)通業(yè)務(wù)一部·黃軻
2013-04-01 08:59:56
