閃存的技術(shù)特性
Flash Memory的標(biāo)準(zhǔn)物理結(jié)構(gòu)，稱之為基本位(cell)；一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制閘(Control gate)與通道間多了一層稱為“浮閘”(floating gate)的物質(zhì)。拜這層浮閘之賜，使得Flash Memory可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式；就算在不提供電源給內(nèi)存的環(huán)境下，也能透過此浮閘，來保存數(shù)據(jù)的完整性。
Flash Memory芯片中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區(qū)還原為正常的1。Flash Memory采用內(nèi)部閉合電路，這樣不僅使電子區(qū)能夠作用于整個芯片，還可以預(yù)先設(shè)定“區(qū)塊”(Block)。在設(shè)定區(qū)塊的同時就將芯片中的目標(biāo)區(qū)域擦除干凈，以備重新寫入。傳統(tǒng)的EEPROM芯片每次只能擦除一個字節(jié)，而Flash Memory每次可擦寫一塊或整個芯片。Flash Memory的工作速度大幅領(lǐng)先于傳統(tǒng)EEPROM芯片。
從技術(shù)面分析，根據(jù)內(nèi)存晶體管設(shè)計(jì)架構(gòu)之不同可分為Cell Type以及Operation Type兩種，后者依功能別又可區(qū)分為Code Flash(儲存程序代碼)以及Data Flash(儲存一般數(shù)據(jù))；其中Code Flash驅(qū)動方式有NOR及DINOR，而Data Flash的驅(qū)動方式則有NAND及AND。其對應(yīng)關(guān)系如下：
過去一般閃存大廠如Intel、AMD、或是臺灣的旺宏等，都是以生產(chǎn)NOR Flash聞名，最常見的應(yīng)用就是行動電話；雖然這種NOR內(nèi)存的讀寫速度快，但高成本卻是個問題。另一種名為NAND Flash的半導(dǎo)體技術(shù)容量較大，這種內(nèi)存多用在一般需要大容量的記憶卡、USB隨身，或MP3隨身聽中。
