三星10nm制程明年底全面投產(chǎn)
全球10nm制程競(jìng)賽正式開(kāi)打！就在三星電子詳細(xì)說(shuō)明了14nm制程技術(shù)的一個(gè)月之后，該公司正式宣布次世代的10nm FinFET制程技術(shù)。
據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星在一場(chǎng)公司會(huì)議上宣布了10nm的消息，并透露這個(gè)制程明(2016)年底會(huì)全面投產(chǎn)，與臺(tái)積電的時(shí)程大致相同。三星晶圓代工部門(mén)副總裁Hong Hao表示，該公司的10nm制程在電力、面積與效能方面擁有強(qiáng)大優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用的市場(chǎng)非常廣泛。
三星22日也對(duì)14nmFinFET制程透露更多細(xì)節(jié)，宣稱(chēng)旗下德州奧斯汀廠以及格羅方德半導(dǎo)體紐約廠都已導(dǎo)入14nm制程科技。
據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星電子曾在2月22-26日于舊金山舉辦的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(International Solid State Circuit Conference，ISSCC)上展示了全球首見(jiàn)的10nmFinFET半導(dǎo)體制程，有望搶在英特爾之前打造出第一款10nm移動(dòng)芯片組。
三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部總裁Kim Ki-nam 2月當(dāng)時(shí)在舊金山展場(chǎng)中表示，采用10nmFinFET制程技術(shù)的芯片不但更加省電、體積也更小，是物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things，IoT)演化進(jìn)程中相當(dāng)重要的一步。除了10nm制程技術(shù)之外，Kim也談?wù)摿?0nm的DRAM與3D V-NAND存儲(chǔ)。目前還無(wú)法確定消費(fèi)性電子產(chǎn)品何時(shí)才會(huì)導(dǎo)入這種最新的半導(dǎo)體制程技術(shù)，也許要等到2017年才有可能。
臺(tái)積電甫于昨日(5月21日)宣布，位于中科的臺(tái)積晶圓十五廠新建廠區(qū)，將用于10nm技術(shù)的量產(chǎn)，預(yù)計(jì)在明年中開(kāi)始安裝機(jī)臺(tái)，并于后年生產(chǎn)。
根據(jù)俄羅斯科技網(wǎng)站獨(dú)家拿到的英特爾2013年-2016年計(jì)劃時(shí)程，該公司打算在明年第3季發(fā)表采用10nm制程技術(shù)的Cannonlake處理器，而14nm的Skylake架構(gòu)系列處理器則會(huì)如期在今年第4季問(wèn)世。
